深圳市云林电子科技有限公司

TARGET SPECIFICATION

This is preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice.

May 2007

 Rev 1

1/9

9

STW9N150

N-channel 1500V - 2.2

Ω

 - 8A - TO-247

Very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET

General features

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100% avalanche tested

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Avalanche ruggedness

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Gate charge minimized

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Very low intrinsic capacitances

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High speed switching

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Very low on-resistance